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功能材料功能性起源

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主讲人:	谷林研究员，中国科学院物理研究所
地点:	物理楼中楼212教室
时间:	2020年9月30日 (星期三) 15:10-18:00
主持联系人:	胡小永 (Tel: 62768705)
主讲人简介:	谷林，中国科学院物理研究所研究员，国家杰出青年基金获得者，从事电子显微学方法研究近20年。2002年清华大学本科毕业，启蒙于我国电子显微学专家朱静院士。2005年获得美国亚利桑那州立大学博士学位。之后先后在德国马普金属所以及日本东公司学从事博士后研究工作。近年来在功能材料原子尺度结构与电子结构研究方面取得系列成果。发表论文600余篇，其中包括Science及Nature正刊13篇，子刊 60余篇，他引 36000余次，H因子>100。获得国际电子显微学联合会青年科学家奖(2006) ；国际锂电池学会青年科学家奖（2012）；中国科学院“卢嘉锡”青年人才奖（2013）；中国科学院杰出科技成就奖（2013）；中国晶体学会青年科技奖（2018），入选科睿唯安材料科学领域（2018-2019）和化学领域（2019）全球高被引科学家；获得国家杰出青年科学基金资助（2020)。

功能材料功能性起源于由向量内积过程所描述的局域对称性以及由向量外积过程所描述的场。皮米尺度下单电子过程中对局域对称性的精确表征需求极大地促进了球差校正电子显微方法的发展。自此破解固体能带论的基本假设：周期性势场、单电子近似、绝热近似也似乎看到了曙光。本次报告将从球差校正电子显微方法入手，讨论内积过程中对称性破缺下功能材料的精细结构与新奇物性。

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